(silicon-on-insulator) технология "кремний на изоляторе", КНИ, технология SOI технология изготовления микросхем, при которой транзисторы изолируются от подложки слоем диоксида кремния. За счёт уменьшения тока утечки вдвое снижается энергопотребление процессора и повышается его быстродействие. Используется корпорацией IBM при изготовлении процессоров PowerPC Смотри также: BiCMOS, CHMOS, CMOS, ECL, MOS, NMOS, TTL
сокращение от silicon-on-insulalor структура (типа) "кремний на диэлектрике", КНД-структура